当前，NAND闪存晶圆供应进一步收紧，部分产品11月份合同价格涨幅超过60%。
内存价格上涨显著推高了消费电子产品的物料清单成本，导致智能手机、笔记本电脑、游戏机等设备出货量减少。
人工智能基础设施持续推动NAND闪存需求增长，全球排名前五的NAND 闪存供应商的总营收环比增长 16.5%，接近 171 亿美元。
今年下半年来，存储涨价已经成为大众热议的话题。未来，存储将怎么走？
01SK 海力士的野心：AI
在最近自家举行的SKAI Summit 2025峰会上，SK海力士CEO郭鲁正宣布了新的战略愿景：“全线AI存储创造者”。并且给出了非常详细的产品路线图，涵盖了从2026年至2031年的时间跨度。
具体来看，SK 海力士有三个布局：定制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）。
在HBM方面，SK海力士将推出HBM4 16层堆叠产品，并从HBM4E开始供应定制化HBM解决方案。定制化HBM通过将协议和控制器从XPU芯片移至HBM基础裸片，为计算单元释放更多空间，显著降低接口能耗。
在DRAM领域，公司将推出LPDDR5R和LPDDR6等标准解决方案，同时引入全新的AI DRAM产品线。
NAND方面，将推出PCIe Gen6企业级与客户端固态硬盘，以及UFS 5.0等标准解决方案。
2029-2031年，HBM5与3D DRAM问世。中长期规划中，SK海力士将全面进入HBM5世代。通用DRAM领域将看到下一代GDDR7、DDR6以及晶体管结构发生重大变化的3D DRAM面世。NAND部分将实现400层以上堆叠，并推出PCIe Gen7 SSD和UFS 6.0等产品。
02第一步，定制化HBM
谷歌第七代TPU即将量产。它的HBM由两家公司供应：SK海力士和三星电子。
SK海力士提供两种HBM3E芯片：8层版本用于TPU 7，12层版本用于TPU 7e。TPU 7e是TPU 7的改进型，目标是提升能效。韩国投资证券预测，2025年SK海力士在谷歌TPU HBM供应中占56.6%，三星电子占43.4%。Meritz Securities预测SK海力士占比为60%。
对于HBM，SK 海力士有自己的见解。
SK 海力士认为，随着AI市场从商品化拓展到推论效率和优化，未来HBM也将从传统的产品演变为定制化的产品。定制化HBM（Custom HBM）就是把GPU和ASIC的特定功能整合到HBM 基座上的产品。这样做的结果有两个：一是让GPU或ASIC的性能发挥得更充分；二是减少HBM和处理器之间的数据传输功耗。
SK海力士公开表示已收到美国“七巨头”成员的定制 HBM 请求，这七大巨头包括苹果、微软、谷歌、亚马逊、Nvidia、Meta 和特斯拉。华尔街分析师指出，定制化HBM（cHBM）已经从曾经的被动元件转变为具备逻辑算力的主动部件，重塑存储的角色。
定制HBM已经成为存储巨头竞争的关键。
三星电子已在布局定制化HBM，支持客户把自有IP集成到基底芯片中。美光表示，HBM4e将体现公司业务范式的转变。HBM4e可以为客户定制，这部分业务预计会改善公司业绩。
ASIC厂商美满电子（Marvell）正与美光、三星和SK海力士合作，为下一代XPU定制HBM方案。该公司在其官网博客中写道：“定制是芯片行业最大的趋势之一。到2028年，加速基础设施计算芯片市场将有25%的份额属于定制芯片。”
Meta和英伟达正在探讨一种新方案：在HBM基底芯片中嵌入GPU核心。他们已就此与SK海力士和三星电子接触。这个方案属于定制化HBM的一部分。它的核心是把GPU运算单元直接放在HBM最下层的基底芯片里。目前HBM基底芯片只负责通信，HBM4会在基底芯片中加入控制器。GPU核心集成比控制器更进一步。
从市场层面来看，HBM市场正在发生变化。过去以通用型产品为主，即厂商自主开发、量产、推向全行业的标准产品。现在开始转向定制化产品，即根据客户要求设计基底芯片，并配套供应。这个转变从HBM4e开始。
从存储企业的进度来看，三星电子和SK海力士都计划在2026年上半年完成HBM4e的开发。HBM4e将用于英伟达“Rubin”平台的旗舰型号R300。R300计划在2027年发布。为配合发布时间，相关厂商正在推进研发，目标是在2026年下半年完成品质验证。
三家厂商的技术路径不同。三星电子自HBM4起使用自家代工厂工艺制造基底芯片。SK海力士自HBM4起使用台积电代工工艺制造基底芯片。美光此前在HBM4中使用自有DRAM工艺制造基底芯片，现在正与台积电合作开发HBM4e。
03第二步，AI DRAM
根据TrendForce的数据，2025年DRAM的资本支出预计为537亿美元，预计在2026年进一步成长至613亿美元，同比增长约14%。
在AI DRAM细分场景中，SK 海力士进一步细化了三大方向。
第一，AI-D O（Optimization）的优化。类似MRDIMM、SOCAMM2、LPDDR5R等低功耗、高性能方案中，降低总体拥有成本（TCO）并提高营运效率。
MRDIMM技术的出现，主要是解决数据传输速率的问题，即提升数据的运力。原理是，使用高速多路复用器或数据缓冲器来同时读取内存组并将数据传输到 CPU。
在美光和英特尔的联合测试中，研究人员使用英特尔Hibench基准测试套件中的2.4TB数据集进行测试。结果显示，在内存容量相同的情况下，MRDIMM的运算效率相比RDIMM提高了1.2倍；使用容量翻倍的TFF MRDIMM时，运算效率更是提高了1.7倍，内存与存储之间的数据迁移减少了10倍。
SK海力士在台积电北美技术论坛上，展示了三款面向先进服务器、速度可达12800MT/s的MRDIMM产品：标准板型、基于1c nm DRAM的款式容量可达64GB；采用传统板型但基于更旧制程的型号容量可达96GB；采用更高板型的产品容量则能进一步拓展到256GB。
MRDIMM技术不止SK 海力士关注。
美光在2024年，全面推出了MRDIMM，提供从32GB至256GB的广泛容量选项；三星公布了其MRDIMM产品方案，该方案通过结合两个DDR5组件，实现了现有DRAM组件带宽的翻倍，提供高达8.8Gb/s的数据传输速率。
第二，AI-D B（Breakthrough）的突破。这方面是克服“存储墙”的解决方案，这就包含了比较多的前沿技术了，比如CMM（CXL内存模块）、PIM（Processing-In-Memory，存内计算）。
关于PIM方面，三星同样也在研究。今年，三星电子大师级专家孙教民（音译）表示，AI产业对内存性能的需求已经超越了当前的开发速度，DRAM厂商也在积极开发各种新技术以提升内存集成度。
三星认为，主要的下一代DRAM技术包括PIM、VCT（垂直晶体管通道）、CXL（Compute Express Link），以及LLW（低延迟、高带宽）DRAM等。三星电子正针对不同的潜在客户和应用场景同步开发这些技术，为AI时代做好准备。
第三，AI-D E（Expansion）的扩展。SK 海力士的目的是，进一步扩展DRAM的使用案例，不仅限于数据中心，还扩展至机器人、移动端和工业自动化等领域，并且这个扩展的方案里包括HBM。
04第三步，AI NAND
根据TrendForce的数据，2025年NAND Flash的资本支出预计为211亿美元，2026年预计小幅增长至222亿美元，同比增长约5%。
在AI NAND方面，SK 海力士同样提出了三个方向。
第一，AI-N P（Performance）是一款可在大规模AI推理环境中高效处理海量数据读写的解决方案。通过最小化AI计算与存储之间的瓶颈，大幅提升处理速度和能效。公司目前正在以全新架构设计NAND与控制器，计划于2026年底推出样品。
第二，AI-N B（Bandwidth）加大频宽。通过垂直堆叠半导体芯粒来扩大频宽，做为弥补HBM 容量增长限制的解决方案。其关键在于将HBM的堆叠结构与高密度且具成本效益的NAND存储结合，也就是HBF技术。
HBF技术上，SK 海力士可谓是大步前进。闪迪与SK海力士于今年8月签署了谅解备忘录，双方将共同制定HBF技术规范，并推动标准化。目标是在2026年下半年推出HBF存储器样品，首批采用HBF的AI人工智能推理设备样品预计将于2027年初上市。
三星也是有消息传来的，据报道，三星电子已启动其自有HBF产品的早期概念设计工作。报道称，三星计划利用其过去在类似技术和产品方面的研发经验，以满足面向数据中心的高带宽闪存日益增长的需求。不过该开发仍处于早期阶段，尚未确定详细的产品规格或量产时间表。
第三，AI-N D（Density）发展密度。SK 海力士的目标是将密度提高到PB级别，并实现一种结合SSD 速度和HDD 成本效益的存储解决方案。
05结语
当前，存储市场再次进入上升周期。
近期新机普遍涨100-300 元，这只是开始。闪迪 3 月、9 月两轮涨价后，11 月直接提价 50%，三星跟进部分产品涨幅超 60%，市场节奏彻底被带偏。存储业内预计，更大幅度的涨价还在后面。
这次由AI规模化应用导致的结构性、长周期缺货，完全超出所有人预期。AI的影响下，“存力升级”须紧随追赶“算力升级”步伐。从场景来看，训练侧容量带宽需求全面提升，推理侧带宽需求突出。
未来，存储和AI 的绑定只会越来越深。